脏离子源测试
脏离子源是灵敏度差及其他性能问题的最常见的原因之一。所有离子源最终都会变脏。MSD 中离子源变脏的速度取决于以下几个因素：
分析样品的数量 - 越多的样品使离子源变脏的越快
样品和样品基质的类型 - 复杂基质的高浓度样品与清洁基质的痕量样品相比，前者更易使离子源变脏。
操作条件（主要是离子源温度）- 更高的离子源温度通常使离子源保持更清洁、更长久。
从人的视觉上来看，脏离子源并不总是显得很脏。可从调谐报告中获取确定离子源的实际情况的线索。
在此过程之后，如果确定离子源脏，则可通过执行 MSD 维护文档的“维护”一章中的清洗步骤，恢复离子源的性能。
从“仪器控制”视图的认证菜单选择查看调谐。下面的趋势可表明离子源正在变脏：
离子聚焦电压稳定升高
推斥极电压稳定升高
EM 电压稳定升高（也表明电子倍增器喇叭寿命过长）
质量分离度稳定下降
m/z 502 的相对丰度稳定下降
执行自动调谐。脏离子源的标志包括：
m/z 502 的相对丰度少于 3%
m/z 219 的相对丰度少于 30%
推斥极电压为最大值（自动调谐时为 35 伏）
在手动调谐中，对推斥极电压进行阶升。清洁离子源将生成一条具有单一、定义良好峰的响应曲线，在 15 伏到 35 伏之间。随着离子源变脏，峰将越移越高，直到在推斥极的最高值（42.7 伏）生成峰。脏离子源也可在较低的推斥极电压下显示极小响应或没有响应，突然一个步阶及该步阶后非常陡的响应曲线。使用此类响应，峰依然在推斥极电压最高值处。
